HF-GaN-Verstärker umfassen Q, V und E

Altum RF hat drei GaAs-pHEMT-MMIC-Verstärker für Q-, V- und E-Bänder angekündigt, die die PP10-20-GaAs-Technologie von Win Semiconductors nutzen, die für den Einsatz bis zu 170 GHz vorgesehen ist und im Vergleich zu ihrer früheren PP10-10-Plattform „ „Eine erhebliche Verstärkungssteigerung bei gleicher Betriebsspannung für Leistungsanwendungen“, so Altum.

Die Verstärker sind:

Am Beispiel des ARF 1208 LNA (Evaluierungsplatine abgebildet), handelt es sich um einen nackten Chip ohne Gehäuse, der vorab auf 50 Ω abgestimmt und ESD-geschützt ist, um die Handhabung zu vereinfachen.

Für die LNA-Vorspannung sind 2 V (55 mA) und für die Treibervorspannung 4 V (80 mA) erforderlich. Bei Betrieb mit Treibervorspannung ist er in der Lage, einen Psat von +19 dBm zu liefern.

P1dB beträgt 16,5 dBm, die Eingangsrückflussdämpfung beträgt >10 dB und die Ausgangsrückflussdämpfung >10 dB. OP1 dB beträgt 16,5 dBm. Die Rauschzahl von 2,5 dB liegt bei 50 GHz mit LNA-Vorspannung.